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琦凌凯供应 FDT86113LZ MOS管
型号/规格:
FDT86113LZ
品牌/商标:
onsemi
封装形式:
SOT-223-4
环保类别:
无铅环保型
安装方式:
贴片式
包装方式:
卷带编带包装
功率特征:
小功率
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产品信息
深圳市琦凌凯科技有限公司是一家集成电路(IC)独立分销商,
致力于为中国企业提供优质的电子元器件, 并为客户提供一站式的服务.
我们拥有多年的市场运作经验和销售的服务经验,完善的管理制度以及优质的服务.
在用户中赢得了良好的声誉. 公司以技术为依托、市场为导向,积累了丰富的销售经验,
本司备有大量现货库存,同时和美、欧、日、韩及台湾等生产厂商及代理销售机构建立了良好的合作关系。
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 3.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
Qg-栅极电荷: 4.1 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.2 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
系列: FDT86113LZ
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 1.5 ns
正向跨导 - 小值: 8 S
高度: 1.8 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 1.3 ns
4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 3.8 ns
宽度: 3.5 mm
致力于为中国企业提供优质的电子元器件, 并为客户提供一站式的服务.
我们拥有多年的市场运作经验和销售的服务经验,完善的管理制度以及优质的服务.
在用户中赢得了良好的声誉. 公司以技术为依托、市场为导向,积累了丰富的销售经验,
本司备有大量现货库存,同时和美、欧、日、韩及台湾等生产厂商及代理销售机构建立了良好的合作关系。
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 3.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
Qg-栅极电荷: 4.1 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.2 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
系列: FDT86113LZ
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 1.5 ns
正向跨导 - 小值: 8 S
高度: 1.8 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 1.3 ns
4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 3.8 ns
宽度: 3.5 mm
单位重量: 112 mg